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NDSH50120C KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NDSH50120C product

NDSH50120C

Diodes - Rectifiers - Single

SiC Diode1200V50ASchottky

Die NDSH50120C ist eine 1200 V, 50 A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode, die für hocheffiziente Leistungswandlungen in industriellen und erneuerbaren Energieanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Schaltnetzteile (SMPS)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen Niederspannungsbetrieb erfordern, bei denen Standard-Siliziumdioden kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RθJC = 0,4°C/W) und Anforderungen an die Kühlung.

Wichtige Specs

Periodische Spitzensperrspannung
1200 V
Kontinuierlicher Durchlassstrom
50 A
Maximale Sperrschichttemperatur
175°C
Durchlassspannung (Typ)
1,4 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

ndsh50120c-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NDSH50120C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die NDSH50120C ist eine Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode von onsemi mit einer Nennleistung von 1200 V und 50 A, die für hocheffizientes Schalten von Leistung entwickelt wurde.