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NGTB15N120FL2WG KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NGTB15N120FL2WG product

NGTB15N120FL2WG

Transistors - IGBTs - Single

IGBT1200VField StopTrenchLeistung

Der NGTB15N120FL2WG ist ein leistungsstarker 1200V, 15A Field Stop II Trench IGBT, der für schnelles Schalten in anspruchsvollen Anwendungen wie Solarwechselrichtern und USV-Systemen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • USV-Systeme
  • Schweißgeräte

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerer Sättigungsspannung effizienter wären

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für 147W Verlustleistung bei 100°C Gehäusetemperatur

Wichtige Specs

Vces
1200 V
Ic (100°C)
15 A
Vce(sat)
2.0 V
Tjmax
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

NGTB15N120FL2W-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NGTB15N120FL2WG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) mit Field Stop II Trench-Technologie, der eine integrierte schnelle Freilaufdiode besitzt und für 1200V und 15A ausgelegt ist.