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NGTB40N120FL3WG KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NGTB40N120FL3WG product

NGTB40N120FL3WG

Transistors - IGBTs - Single

IGBT1200VField Stoponsemi

Der NGTB40N120FL3WG ist ein leistungsstarker 1200V, 40A Ultra Field Stop Trench IGBT von onsemi, optimiert für schnelles Schalten in anspruchsvollen Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • USV-Systeme
  • Schweißstromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs- oder Niedrigleistungsanwendungen, bei denen ein Standard-MOSFET effizienter wäre.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Treiber-Spannungspegel.

Wichtige Specs

Vces
1200 V
Ic (100°C)
40 A
Vce(sat)
1.7 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

NGTB40N120FL3W-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NGTB40N120FL3WG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) in Ultra Field Stop Trench-Technologie, der eine integrierte, schnell schaltende Freilaufdiode enthält.