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NHDTC114YTR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NHDTC114YTR product

NHDTC114YTR

Transistors

NPNRETSOT23Automobil

Der NHDTC114YT ist ein 80 V, 100 mA NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET) im SOT23-Gehäuse, ideal für platzsparende digitale Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • IC-Eingangssteuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsverstärkung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven

Wichtige Specs

VCEO
80 V
IC
100 mA
R1
10 kΩ
R2
47 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Digitale AnwendungenAutomobil

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NHDTC114YTR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ), der speziell für digitale Schaltanwendungen entwickelt wurde.