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NP12N10G-Y-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NP12N10G-Y-G product

NP12N10G-Y-G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTO-252

Der NP12N10G ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für Automobil- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Automobil-Leistungsstufen
  • DC-DC-Wandler
  • Allgemeines Schalten von Lasten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für Hochstrombetrieb

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
12 A
RDS(ON)
105 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilStromversorgungen

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NP12N10G-Y-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der mittels fortschrittlicher Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten entwickelt wurde.