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NPB4N65F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NPB4N65F product

NPB4N65F

MOSFETs - Single

MOSFET650VLeistung

Der NPB4N65F ist ein 650V, 4A N-Kanal-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteilanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Ladegeräte
  • Adapter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen sehr niedrigen RDS(on) oder SMD-Gehäuse erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
4 A
RDS(on)
2,3 Ω
Gehäuse
TO-220F

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

ca0e0c1672a6766629b671c8cbc2f73b_2311160939_NH-NPB4N65F_C7427690.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NPB4N65F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von NH, der typischerweise in Schaltnetzteilen eingesetzt wird.