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NRS2012T1R0NGJV KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NRS2012T1R0NGJV product

NRS2012T1R0NGJV

Chokes

GeschirmtLeistungsinduktivitätSMD

Der NRS2012T1R0NGJV ist eine geschirmte Leistungsinduktivität von TAIYO YUDEN mit 1,0 µH Induktivität und 1,9 A Sättigungsstrom im kompakten 2012-Gehäuse.

Ideal für

  • Stromversorgungsschaltungen in allgemeinen elektronischen Geräten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine hochpräzise Induktivitätstoleranz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Leiterplattenlayout auf mechanische Spannungen

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Sättigungsstrom
1,9 A
Gleichstromwiderstand
0,070 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine elektronische Geräte

Datenblatt

DSANUWW0054077.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NRS2012T1R0NGJV laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine geschirmte SMD-Leistungsinduktivität mit einer Induktivität von 1,0 µH und einer Toleranz von ±30%.