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NSBC114EDXV6T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSBC114EDXV6T1G product

NSBC114EDXV6T1G

Pre-Biased

Dual NPNPre-BiasedSOT-563

Der NSBC114EDXV6T1G ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten 10kΩ-Widerständen im kompakten SOT-563-Gehäuse.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Schnittstellenschaltungen
  • Platzkritische Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsverstärkung
  • Anwendungen, die eine unabhängige Transistorsteuerung außerhalb des integrierten Bias-Netzwerks erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen
  • Eingangsspannungspegel

Wichtige Specs

Widerstandsverhältnis
1.0
VCE(sat)
0.25 V max
Gehäuse
SOT-563

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Allgemein

Datenblatt

DTC114ED-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSBC114EDXV6T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Bias-Widerstandstransistor (BRT), der zwei Transistoren und ein monolithisches Bias-Netzwerk (10kΩ Serien- und 10kΩ Basis-Emitter-Widerstand) in einem SOT-563-Gehäuse vereint.