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NSR02L30NXT5G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSR02L30NXT5G product

NSR02L30NXT5G

Diodes - Rectifiers - Single

Schottky0201Diodeonsemi

Die NSR02L30NXT5G ist eine 30V, 200mA Schottky-Barriere-Diode im kompakten 0201 DSN2-Gehäuse, optimiert für platzsparende Anwendungen.

Ideal für

  • Mobiltelefone
  • Tragbare Elektronik
  • Platzsparende DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 312mW Verlustleistung
  • Umgebungen, die große, robuste bedrahtete Bauteile erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Bestückungsmöglichkeiten für 0201-Größe
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Sperrspannung
30 V
Durchlassstrom
200 mA
Durchlassspannung
0.40 V @ 10 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MobiltelefoneDC-DC-Wandler

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSR02L30NXT5G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Schottky-Barriere-Diode von onsemi, die für einen niedrigen Durchlassspannungsabfall und geringen Leckstrom in einem Miniatur-DSN2 (0201) Gehäuse optimiert ist.