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NSS12100M3T5G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSS12100M3T5G product

NSS12100M3T5G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTSOT-723Niedrige Sättigungsspannung

Der NSS12100M3T5G ist ein 12V, 1A PNP-Transistor im kompakten SOT-723-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Energiemanagement.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Batteriebetriebene tragbare Geräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 12V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastbarkeit des SOT-723-Footprints

Wichtige Specs

VCEO
-12 V
IC (Dauer)
-1 A
VCE(sat) (Typ)
155 mV

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Elektronik

Datenblatt

NSS12100M3-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSS12100M3T5G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bipolartransistor von onsemi mit niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hoher Stromverstärkung für effiziente Anwendungen in tragbaren Geräten.