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NSS12100XV6T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSS12100XV6T1G product

NSS12100XV6T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTSOT-563Niedrige Sättigung

Der NSS12100XV6T1G ist ein hocheffizienter PNP-Transistor, der für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung und hohem Strom in kompakten tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Tragbares Energiemanagement
  • Niederspannungs-Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 12 V
  • Hochleistungsdesigns mit mehr als 650 mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Spitzenstrombelastbarkeit (bis zu 2 A)

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-12 V
IC
-1.0 A
Gehäuse
SOT-563

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Elektronik

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSS12100XV6T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bipolartransistor (BJT), der für Anwendungen mit niedrigem VCE(sat) entwickelt wurde und hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten SOT-563-Gehäuse bietet.