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NSS1C200LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSS1C200LT1G product

NSS1C200LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJT100V2ASOT-23

Der NSS1C200LT1G ist ein leistungsstarker PNP-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung, der für effizientes Schalten und Energiemanagement in kompakten SMD-Designs optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Tragbares Energiemanagement
  • Automobil-Instrumententafeln

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung von mehr als 490 mW ohne ausreichende thermische Entlastung erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Überprüfen Sie die VCE(sat) bei Ihrem spezifischen Betriebsstrom, um die Effizienz sicherzustellen.

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-100 V
IC
-2.0 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergiemanagementAutomobil

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSS1C200LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bipolartransistor (BJT), der für eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hohe Stromverstärkung optimiert ist und in einem SOT-23-Gehäuse geliefert wird.