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NSS1C300ET4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSS1C300ET4G product

NSS1C300ET4G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJT100V3ADPAK

Der NSS1C300ET4G ist ein leistungsstarker 100V, 3A PNP-Bipolartransistor von onsemi, der für Anwendungen mit niedriger Sättigungsspannung optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung
  • Automotive-Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die NPN-Polarität erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen DPAK zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Basisstrom für Sättigung

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC (kontinuierlich)
3 A
VCE(sat) bei 3A
0,4 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

NSS1C300E-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSS1C300ET4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bipolartransistor (BJT) mit niedriger Sättigungsspannung und hoher Stromverstärkung, der für effizientes Schalten und Energiemanagement entwickelt wurde.