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NSS40301MDR2G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSS40301MDR2G product

NSS40301MDR2G

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual NPNGepaartes PaarNiedrige Sättigung

Der NSS40301MDR2G ist ein duales, gepaartes NPN-Transistor-Array im 8-SOIC-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit hohem Strom und niedriger Sättigungsspannung.

Ideal für

  • Stromspiegel
  • Differenzverstärker
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Hochfrequenzschaltungen über 100MHz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsgrenzen

Wichtige Specs

VCEO
40 V
IC (Dauerstrom)
3 A
VCE(sat)
44 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSS40301MDR2G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales, gepaartes NPN-Transistor-Array für effizientes Energiemanagement und analoge Signalanwendungen.