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NSV1C201MZ4T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSV1C201MZ4T1G product

NSV1C201MZ4T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistor100V2ASOT-223

Der NSV1C201MZ4T1G ist ein leistungsstarker 100V, 2A NPN-Transistor, der für Anwendungen mit niedriger Sättigungsspannung optimiert ist.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Schnelles Schalten
  • Automobilelektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 2A Dauerstrom
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • VCE(sat) bei Betriebsstrom

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC (Dauer)
2.0 A
VCE(sat)
0.180 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergiemanagementAutomobilMotorsteuerung

Datenblatt

NSS1C201MZ4-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSV1C201MZ4T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)), der für effizientes Schalten und Verstärken entwickelt wurde.