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NSV60600MZ4T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSV60600MZ4T1G product

NSV60600MZ4T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJT60V6ASOT-223

Der NSV60600MZ4T1G ist ein leistungsstarker PNP-BJT, der für verlustarmes Schalten und Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Hochstromschaltung
  • Energiemanagement
  • Automobilelektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem flachen Bauhöhen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei maximalem Strom

Wichtige Specs

VCEO
-60 V
IC (Dauer)
-6.0 A
VCE(sat)
-0.350 V @ -6A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergiemanagementAutomobil

Datenblatt

NSS60600MZ4-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSV60600MZ4T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 60V, 6A PNP-Bipolartransistor aus der e2PowerEdge-Familie von onsemi, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.