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NSVDTA114EET1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSVDTA114EET1G product

NSVDTA114EET1G

Pre-Biased

PNPDigitaltransistorBRT10k/10k

Der NSVDTA114EET1G ist ein PNP-Digitaltransistor mit integrierten 10-kΩ-Bias-Widerständen, ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Automotive-Schaltungen
  • Signalaufbereitung
  • Platzkritische Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100 mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Bias-Widerstandswerte für den spezifischen Eingangstreiber

Wichtige Specs

Typ
PNP-Digitaltransistor
VCEO
50 V
IC
100 mA
Widerstände
10 kΩ / 10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

AutomotiveAllgemeines Schalten

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSVDTA114EET1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bias-Resistor-Transistor (BRT), der einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Bias-Netzwerk aus zwei 10-kΩ-Widerständen kombiniert.