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NSVT65010MW6T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSVT65010MW6T1G product

NSVT65010MW6T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

PNP-DoppeltransistorGepaartAEC-Q101

Der NSVT65010MW6T1G ist ein AEC-Q101-qualifizierter, gepaarter PNP-Doppeltransistor im kompakten SOT-363-Gehäuse, ideal für präzise Signalverarbeitung.

Ideal für

  • Automotive-Signalaufbereitung
  • Präzisionsstromspiegel
  • Differenzverstärker

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Umgebung zur Aufrechterhaltung der Anpassung

Wichtige Specs

VCEO
-65 V
IC
-100 mA
hFE-Anpassung
10%
VBE-Anpassung
≤ 2 mV

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

AutomotiveIndustrie

Datenblatt

NST65010MW6-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSVT65010MW6T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen gepaarten PNP-Doppeltransistor, der für Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Parameteranpassung entwickelt wurde.