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NSVUMC5NT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NSVUMC5NT1G product

NSVUMC5NT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual-TransistorVor-vorgespanntAEC-Q101

Der NSVUMC5NT1G ist ein dualer, komplementärer (NPN/PNP) vor-vorgespannter Transistor im kompakten SOT-353-Gehäuse, ideal für platzkritische Automobil- und Industrieanwendungen.

Ideal für

  • Automotive-Signalschaltung
  • Platzsparende Logikschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen über 150mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Widerstandswerte (R1=4,7kΩ, R1/R2=0,47)

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
4,7 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

AutomobilAllgemeines Schalten

Datenblatt

UMC2NT1-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NSVUMC5NT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales Bias-Resistor-Transistor-Bauteil (BRT), das einen NPN- und einen PNP-Transistor mit integriertem monolithischem Bias-Widerstandsnetzwerk enthält.