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NT5CB128M16JR-FL KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NT5CB128M16JR-FL product

NT5CB128M16JR-FL

Memory - DRAM

DDR3SDRAMSpeicher2Gb

Der NT5CB128M16JR-FL ist ein 2Gb DDR3-SDRAM von Nanya Technology, organisiert als 128M x 16, mit Geschwindigkeiten von bis zu 2133 Mbps.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Speicheranwendungen
  • Digitale Unterhaltungselektronik
  • Netzwerkausrüstung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die spezifische DDR3L-Spannungspegel erfordern (obwohl abwärtskompatibel, sind dedizierte DDR3L-Teile vorzuziehen)
  • Anwendungen, die keine BGA-Gehäuse verwenden

Vor der Verwendung prüfen

  • Signalintegritätsanforderungen für 2133 Mbps
  • Thermomanagement für den Betrieb im erweiterten Temperaturbereich

Wichtige Specs

Dichte
2Gb
Organisation
128M x 16
Max. Datenrate
2133 Mbps
Gehäuse
96-Ball TFBGA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikNetzwerktechnikIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NT5CB128M16JR-FL laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 2Gb DDR3-SDRAM-Speicherkomponente von Nanya Technology mit einer 128M x 16-Organisation in einem 96-Ball-TFBGA-Gehäuse.