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NT5CC128M16JR-EK KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NT5CC128M16JR-EK product

NT5CC128M16JR-EK

DRAM

DDR3LSpeicherDRAM2Gb

Der NT5CC128M16JR-EK ist ein 2Gb DDR3L SDRAM-Speicherbaustein von Nanya Technology, organisiert als 128M x 16 mit einer Datenrate von 1866 Mbps.

Ideal für

  • Eingebettete Systeme
  • Unterhaltungselektronik
  • Netzwerkgeräte

Vermeiden, wenn

  • Industrielle Umgebungen mit Temperaturen über 95°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Spannungskompatibilität mit 1,35V DDR3L-Anforderungen

Wichtige Specs

Dichte
2Gb
Organisation
128M x 16
Datenrate
1866 Mbps
Spannung
1,35V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikNetzwerktechnik

Datenblatt

367e6a86083b6f00367fe06a466d3564.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NT5CC128M16JR-EK laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 2Gb DDR3L (Low Voltage) SDRAM-Speicherchip, der als 128M x 16 organisiert ist und für Hochgeschwindigkeits-Datenspeicheranwendungen entwickelt wurde.