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NTBG022N120M3S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTBG022N120M3S product

NTBG022N120M3S

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VHohe Effizienz

Der NTBG022N120M3S ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Solar-Wechselrichter
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen die Vorteile von SiC nicht erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermisches Design.

Wichtige Specs

VDSS
1200 V
RDS(on)
22 mΩ
ID
58 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

ntbg022n120m3s-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTBG022N120M3S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) mit einer Nennspannung von 1200V und einem Einschaltwiderstand von 22mΩ, der für industrielle Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.