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NTBG060N065SC1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTBG060N065SC1 product

NTBG060N065SC1

MOSFETs - Single

SiC MOSFET650VLeistungs-MOSFET

Der NTBG060N065SC1 ist ein leistungsstarker 650V SiC-MOSFET im D2PAK-7L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandleranwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Solarwechselrichter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
46 A
Rds(on)
44 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

NetzteileSolarwechselrichter

Datenblatt

ntbg060n065sc1-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTBG060N065SC1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC), der für Hochspannungs- und Hocheffizienzanwendungen entwickelt wurde.