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NTBG060N090SC1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTBG060N090SC1 product

NTBG060N090SC1

MOSFETs - Single

SiC-MOSFET900VLeistungs-MOSFET

Der NTBG060N090SC1 ist ein 900V SiC-MOSFET im D2PAK-7L-Gehäuse, der für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • USV-Systeme
  • DC-DC-Wandler
  • Boost-Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermische Anforderungen.

Wichtige Specs

Vdss
900 V
Id (Tc=25°C)
44 A
RDS(on) (Typ)
60 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

ntbg060n090sc1-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTBG060N090SC1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 900V N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET, der für schnelles Schalten und hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.