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NTBG160N120SC1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTBG160N120SC1 product

NTBG160N120SC1

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VLeistungs-MOSFET

Der NTBG160N120SC1 ist ein 1200V, 19.5A Siliziumkarbid (SiC) MOSFET im D2PAK-7L Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung.

Ideal für

  • USV-Systeme
  • DC-DC-Wandler
  • Boost-Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Durchsteckmontage erfordern
  • Niederspannungsschaltungen, bei denen die SiC-Vorteile nicht erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung für 136W Verlustleistung

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id
19.5 A
Rds(on)
160 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

567c4bdb2bd89ac3cc97379eae8f8476.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTBG160N120SC1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET von onsemi, der für 1200V und 19.5A ausgelegt ist und in einem D2PAK-7L-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert wird.