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NTD20N06-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTD20N06-HXY product

NTD20N06-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDPAK

Der NTD20N06 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

60319fe9a74e0bbef67d9d1ebc450870_2404231719_HXY-MOSFET-NTD20N06-HXY_C22366903.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTD20N06-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.