ProjektePreiseInsights

NTD4804N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTD4804N-HXY product

NTD4804N-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V120A

Der NTD4804N ist ein 30V, 120A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
120 A
RDS(on)
3.8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

3bf4494c0173abe99eabca97d83b28a4_HXY MOSFET(华轩阳电子)&NTD4804N-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTD4804N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.