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NTD5865NL-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTD5865NL-HXY product

NTD5865NL-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VTrench

Der NTD5865NL ist ein N-Kanal-MOSFET mit 60V und 50A im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
50 A
RDS(on)
17 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

fbbe5d29074237ac54696a0845600bb0_2403261739_HXY-MOSFET-NTD5865NL-HXY_C22366966.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTD5865NL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und auf niedrigen Einschaltwiderstand sowie effizientes Schalten ausgelegt ist.