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NTD5867NLT4G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTD5867NLT4G-HXY product

NTD5867NLT4G-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDPAK

Der NTD5867NLT4G ist ein 60V, 20A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen, bei denen die Gate-Ladung kritisch ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

cba6501d8eb3b3782add7367b7f21dcb_2403261737_HXY-MOSFET-NTD5867NLT4G-HXY_C22366763.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTD5867NLT4G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, ausgelegt für 60V und 20A.