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NTD5867NLT4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTD5867NLT4G product

NTD5867NLT4G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60V20A

Der NTD5867NLT4G ist ein 60V, 20A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TO-252-3L-Gehäuse, optimiert für Leistungsschaltanwendungen und Batteriemanagement.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batteriemanagement
  • Logikpegelverschiebung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern
  • Hochfrequenzschaltungen, bei denen Schaltverluste dominieren

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(ON)
<33 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LeistungsschaltungBatteriemanagement

Datenblatt

6c6ac3e1166aac0860e5902001327d4d_2304031830_TECH-PUBLIC-NTD5867NLT4G_C5350885.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTD5867NLT4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 20A.