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NTD6415ANLT4G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTD6415ANLT4G-HXY product

NTD6415ANLT4G-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VDPAK

Der NTD6415ANLT4G ist ein 100V, 30A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 10mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
30 A
RDS(on)
< 48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

83f1f5f4695573b7e4ce779299c381ea_2404231036_HXY-MOSFET-NTD6415ANLT4G-HXY_C22367070.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTD6415ANLT4G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus mit niedriger Gate-Ladung und niedrigem Einschaltwiderstand, der für effizientes Schalten ausgelegt ist.