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NTD6416ANT4G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTD6416ANT4G-HXY product

NTD6416ANT4G-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFET100VTO-252

Der NTD6416ANT4G ist ein 100V, 20A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
20 A
RDS(ON)
87 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

ca5d5dda1f9733a18aab0aa7e4bd052f_2309211852_HXY-MOSFET-NTD6416ANT4G-HXY_C18198386.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTD6416ANT4G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung optimiert ist.