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NTF3055L108T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTF3055L108T1G product

NTF3055L108T1G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VSOT-223

Der NTF3055L108T1G ist ein 60V, 4A N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im SOT-223-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Pegelwandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 4A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
4 A
RDS(ON)
85 mΩ
Gehäuse
SOT-223

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Leistungsschaltung

Datenblatt

1650fcf3ec3e76bcb0a393870366f06c_2308251515_TECH-PUBLIC-NTF3055L108T1G_C7472933.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTF3055L108T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Anwendungen mit hoher Zelldichte, spezifiziert für 60V Drain-Source-Spannung und 4A Dauerstrom.