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NTH4L014N120M3P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTH4L014N120M3P product

NTH4L014N120M3P

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VHochleistung

Der NTH4L014N120M3P ist ein leistungsstarker 1200 V SiC-MOSFET von onsemi, der für hocheffiziente Leistungswandlungen in industriellen und automobilen Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen die Vorteile von SiC nicht erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Treiberspannung
  • Kapazität der Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id (Tc=25°C)
127 A
RDS(on) (Typ)
14 mΩ
Gehäuse
TO-247-4L

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Not Applicable
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

nth4l014n120m3p-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTH4L014N120M3P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET der M3-Generation mit einer Nennspannung von 1200 V und 127 A, untergebracht in einem TO-247-4L-Gehäuse.