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NTH4L015N065SC1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTH4L015N065SC1 product

NTH4L015N065SC1

MOSFETs - Single

SiC MOSFET650VHochleistung

Der NTH4L015N065SC1 ist ein leistungsstarker 650V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen in Industrie- und Erneuerbare-Energien-Systemen optimiert ist.

Ideal für

  • Hocheffiziente Stromwandlung
  • Solarenergiesysteme
  • Industrielle Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Kostensensitive Unterhaltungselektronik mit geringer Leistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
142 A
Rds(on)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

nth4l015n065sc1-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTH4L015N065SC1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 142A N-Kanal Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET im TO-247-4L Gehäuse.