ProjektePreiseInsights

NTH4L020N090SC1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTH4L020N090SC1 product

NTH4L020N090SC1

MOSFETs - Single

SiC MOSFET900VHohe Effizienz

Der NTH4L020N090SC1 ist ein leistungsstarker 900V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • USV
  • DC-DC-Wandler
  • Boost-Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Kostensensitive Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiberspannungspegel und thermisches Design.

Wichtige Specs

Vdss
900 V
Id
116 A
Rds(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

nth4l020n090sc1-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTH4L020N090SC1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET mit 900V und 116A, der für hocheffiziente Stromversorgungssysteme entwickelt wurde.