NTH4L040N120M3S Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | onsemi | PartGenie

KI-Zusammenfassung

NTH4L040N120M3S product

Der NTH4L040N120M3S ist ein leistungsstarker 1200V, 40mΩ SiC-MOSFET im TO-247-4L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung.

Ideal für

Hocheffiziente Stromwandlung
Hochfrequenzschalten

Vermeiden, wenn

Niederspannungsanwendungen, bei denen SiC nicht kosteneffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Treiberspannungspegel
Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDSS: 1200 V
RDS(on): 40 mΩ
ID: 54 A

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

nth4l040n120m3s-d.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTH4L040N120M3S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen EliteSiC N-Kanal-MOSFET von onsemi, ausgelegt für 1200V und 40mΩ, konzipiert für hocheffiziente Schaltanwendungen.