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NTH4L070N120M3S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTH4L070N120M3S product

NTH4L070N120M3S

UV

SiC MOSFET1200VEliteSiCHohe Effizienz

Der NTH4L070N120M3S ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Solar-Wechselrichter
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen die SiC-Leistung nicht erforderlich ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiberspannung (empfohlen -3V/+18V) und thermisches Design.

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
1200 V
RDS(on)
65 mΩ
Dauer-Drainstrom
34 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

nth4l070n120m3s-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTH4L070N120M3S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen EliteSiC N-Kanal-MOSFET von onsemi, der für 1200V und 34A ausgelegt ist und sich durch einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Gate-Ladung auszeichnet.