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NTHD4102PT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTHD4102PT1G product

NTHD4102PT1G

MOSFETs - Arrays

Dual P-KanalChipFETLeistungs-MOSFET

Der NTHD4102P ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im kompakten ChipFET-Gehäuse, ideal für platzkritische Anwendungen im Energiemanagement.

Ideal für

  • Tragbares Batteriemanagement
  • Lastschaltung
  • Kompakte Stromwandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs-Industrieanwendungen, die große Kühlkörper erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anbindung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
-20 V
Id
-4.1 A
Rds(on)
64 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergiemanagement

Datenblatt

NTHD4102P-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTHD4102PT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem Miniatur-ChipFET-Gehäuse, der für hocheffizientes Schalten in tragbaren Geräten entwickelt wurde.