ProjektePreiseInsights

NTHL040N120M3S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTHL040N120M3S product

NTHL040N120M3S

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VEliteSiC

Der NTHL040N120M3S ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungs-Stromwandlung
  • Hocheffiziente Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Unterhaltungselektronik

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Spannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id
54 A
Rds(on)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

nthl040n120m3s-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTHL040N120M3S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein EliteSiC N-Kanal-MOSFET von onsemi mit 1200V und 54A, optimiert für schnelles Schalten.