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NTHL070N120M3S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTHL070N120M3S product

NTHL070N120M3S

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VEliteSiCHohe Effizienz

Der NTHL070N120M3S ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET von onsemi, der für hocheffiziente Leistungswandlungen in industriellen und automobilen Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hocheffiziente Leistungswandlung
  • Solarwechselrichter
  • EV-Ladeinfrastruktur

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Treiber-Schaltung
  • Thermisches Design

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id
34 A
RDS(on)
65 mΩ
Qg
57 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

nthl070n120m3s-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTHL070N120M3S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen EliteSiC N-Kanal-MOSFET mit 1200V und 34A, der Siliziumkarbid-Technologie für überlegene Schaltleistung und Effizienz nutzt.