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NTHS4101PT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTHS4101PT1G product

NTHS4101PT1G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETChipFETTragbar

Der NTHS4101P ist ein kompakter P-Kanal-Leistungs-MOSFET für tragbare Elektronik mit niedrigem RDS(on) und Logikpegel-Gate-Ansteuerung.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Tragbare Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung für 1.3W Verlustleistung

Wichtige Specs

Vdss
-20 V
Id
-4.8 A
RDS(on)
34 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergiemanagement

Datenblatt

NTHS4101P-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTHS4101PT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein -20V P-Kanal-Leistungs-MOSFET im ChipFET-Gehäuse, optimiert für platzkritische tragbare Anwendungen.