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NTJD1155LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTJD1155LT1G product

NTJD1155LT1G

MOSFETs - Arrays

MOSFET-ArrayLastschalteronsemi

Der NTJD1155LT1G ist ein kompaktes N/P-Kanal-MOSFET-Array von onsemi, das sich ideal für High-Side-Lastschaltungen in tragbaren Niederspannungsanwendungen eignet.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Batteriebetriebene Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Versorgungsspannung von über 8V überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Stellen Sie sicher, dass der R1-Widerstandswert korrekt für den Pegelverschiebungsbetrieb berechnet ist

Wichtige Specs

VDSS
8 V
ID
1,3 A
Gehäuse
SC-88 (SOT-363)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Tragbare ElektronikLastschaltung

Datenblatt

NTJD1155L-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTJD1155LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales MOSFET-Bauteil, das einen P-Kanal- und einen N-Kanal-MOSFET in einem einzigen SC-88-Gehäuse integriert und speziell für High-Side-Lastschaltungen entwickelt wurde.