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NTJD4152PT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTJD4152PT1G product

NTJD4152PT1G

MOSFETs - Arrays

MOSFETDualP-KanalSC-88

Der NTJD4152P ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im kompakten SC-88-Gehäuse, ideal für platzsparendes Power-Management und Lastschaltungen.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschaltung
  • Signalmanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs-Industrieantriebe
  • Anwendungen über 0.88A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS
-20 V
ID
-0.88 A
RDS(on) @ -4.5V
215 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

NTJD4152P-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTJD4152PT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer P-Kanal-Trench-MOSFET mit ESD-geschützten Gates für Kleinsignalanwendungen.