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NTJD5121NT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTJD5121NT1G product

NTJD5121NT1G

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal60VSC-88

Der NTJD5121N ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SC-88-Gehäuse mit 60V Durchbruchspannung und ESD-Schutz, ideal für kompakte Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Low-Side-Lastschalter
  • Buck/Boost DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 300mA
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
295 mA
RDS(on)
1,6 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

NTJD5121N-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTJD5121NT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit integriertem ESD-Schutz für platzsparende Designs.