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NTLJD3119CTBG KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTLJD3119CTBG product

NTLJD3119CTBG

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärEnergiemanagement

Der NTLJD3119CTBG ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar für kompakte Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Tragbares Energiemanagement
  • Synchrone DC-DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Widerstandswerte für Dauer- vs. Impulsbetrieb

Wichtige Specs

VDSS
20V / -20V
ID Max
4.6A / -4.1A
RDS(on) Max
65mΩ / 100mΩ
Gehäuse
WDFN6 2x2mm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTLJD3119CTBG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres MOSFET-Bauteil, das einen N-Kanal- und einen P-Kanal-MOSFET in einem einzigen 6-poligen WDFN 2x2mm-Gehäuse vereint.