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NTLJS4114NT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTLJS4114NT1G product

NTLJS4114NT1G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VWDFN

Der NTLJS4114NT1G ist ein 30V, 7.8A N-Kanal-MOSFET im kompakten 2x2mm WDFN-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Lastschaltung in tragbaren Geräten
  • LED-Hintergrundbeleuchtungs-Boost-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V
  • Anwendungen, die extrem hohe kontinuierliche Ströme jenseits der thermischen Grenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id (max)
7.8 A
RDS(on)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

NTLJS4114N-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTLJS4114NT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi mit einer Drain-Source-Spannung von 30V in einem kompakten 2x2mm WDFN-Gehäuse.