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NTMD3P03-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMD3P03-HXY product

NTMD3P03-HXY

MOSFETs

Dual P-KanalMOSFETSOP-8

Der NTMD3P03 ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für PWM- und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • PWM-Steuerung
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 2,6 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
-30 V
Id
-5,3 A
Rds(on)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMD3P03-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert.