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NTMD4820NR2G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMD4820NR2G-HXY product

NTMD4820NR2G-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOP-8

Der NTMD4820NR2G ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten in Batterie- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V
  • Anwendungen mit extrem hohen thermischen Anforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8,5 A
RDS(ON)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungBatterieschutz

Datenblatt

961dffa8f9a712e85d14ca165df06dca_2404231036_HXY-MOSFET-NTMD4820NR2G-HXY_C22366561.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMD4820NR2G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen konzipiert ist.