ProjektePreiseInsights

NTMD4840NR2G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMD4840NR2G-HXY product

NTMD4840NR2G-HXY

MOSFETs

MOSFETDual N-Kanal30VSOP-8

Der NTMD4840NR2G ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen wie Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Hochspannungsschaltung (>30V)
  • Umgebungen mit extrem hohen Temperaturen ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8.5 A
RDS(on)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

b55d430770cc3557f15234c5ba9d694b_2404231718_HXY-MOSFET-NTMD4840NR2G-HXY_C22366602.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMD4840NR2G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.